在电子电路中经常用到的另一种半导体器件是场效应管。场效应管分为绝缘栅型和结型两大类，绝缘栅型场效应管又称MOS管(Metal.Oxide.Smiconductor) ，是一种金属氧化物，应用十分广泛，在这一节中主要对场效应管进行直流分析。

MOS管与普通三极管最大的不同点是：MOS管为电压控制，而普通三极管是电流控制。 所以在实验中栅极(G)直接输入电压，测量G极与D(漏)极的电流受输入电压影响的变化。

如图5.6.1所示，电路结构大致与上节三极管相似，本次采用NMOS型场效应管（默认开启电压为3.1V）来做模拟实验，电阻R1为220Ω。

图5.6.1  场效应管直流分析

同时，在输出端接上一个LED发光二极管，作用是来表示当漏极电流增大到一定程度时，就会驱动LED灯发亮。

按图连接好电路图后，测出输入电流为0A，输入电压也为0V，但输出电流为5.827μA，说明在正常情况下，漏极电流为一个恒定的值。调节电源改变输入电压，由零增大到3.1V，输入电流仍保持为0A，输出电压为5.827μA，LED是不会亮的，见图5.6.1。

当电源被调致3.2v时，输出电流突增到13.29mA，LED灯发亮，输入电流仍为0A，如图5.6.2所示：

图 5.6.2  二极管发光

此后，无论怎样增大输入电源，输入输出电流仍然保持不变；当然，电源减小时侯，LED灯也会熄灭、输出电流回到5.827μA。所以，这个3.1V称作这个MOS管的开启电压。