---第20届应用电源电子产品大会暨展览会于2005年3月6日至10日在美国德克萨斯州奥斯汀（Austin）的希尔顿饭店（Hilton Hotel）举行，本次大会不仅为业界的专业人士目睹新产品和讨论最新技术提供了契机，同时还安排了数百场有关电源电子产品行业最新发展的演示技术报告。大会的精彩内容还有由《Electronic Products》杂志组织的电源行业联盟小组的技术讨论会，以及众多的新产品展示。
功率元件
---BI Technologies公司（位于美国加利福尼亚州Fullerton）的参展产品当中包括HM67共模扼流圈（近期已通过CANBUS滤波认证）、70-A HM69 SMT电感器以及具有第三个端子（用于提高稳定性以满足苛刻应用的要求）的HM70 SMT电感器。
---AVX公司（位于美国南卡罗莱纳州Myrtle Beach）推出的W2F4和W3F4系列馈通滤波器采用四元件0508和0612封装，由于它们能够为所有需要符合SAE、FCC和IEC EMC要求的电路提供宽带EMI衰减，因而尤其适合于车载娱乐系统中的数据行。
---Cornell Dubilier公司（位于美国南卡罗莱纳州Liberty）开发的轴向引线商用等级TAT和TAX湿式钽电容器可提供3V的反向电压和低至2μA的DC漏电流。这些电容器运用特氟龙（Teflon）内封焊、玻璃与金属外封焊，并采用了钽外壳构造，旨在实现优于银外壳器件的操作可靠性。
---Tyco Electronics公司（位于美国加利福尼亚州Menlo Park）展出的小型Crown Edge连接器采用Elcon高性能Crown Band电力触点来提供高功率密度形状因数，从而使其成为VRM10.2以及电流要求高达150A的更高规格应用的理想选择。
---Powerex公司（位于美国宾夕法尼亚州Youngwood）推出的新型MOSFET电源模块系列是作为三相（六合一）器件而设计的，可将U、V和W相连接在一起，以形成一个用于单相系统的半桥式模块。它们具有200A～600A的额定电流以及75V、100V和150V的额定电压，旨在支持24V～96V的电池电压。
---Fairchild Semiconductor公司（位于美国加利福尼亚州圣何塞）展出的FDC6020C功率MOSFET据称是现今所有能够提供1A以上连续电流的同类器件中占位面积最小的一种。它将两个MOSFET集成到了一个外形尺寸为9.0mm×9.0mm×0.8mm的超小型SuperSOT-6 FLMP封装中。
---On Semiconductor公司（位于美国亚利桑那州菲尼克斯）推出了ThermalTrak技术，该技术将输出晶体管和内部偏压控制电路整合在了一个TO-264封装之内，以实现快速预热、迅速而精确的温度调节，并提高性能和偏压稳定性。
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---Microsemi公司（位于美国加利福尼亚州Irvine）展示了一对采用外形尺寸为26.7mm2×1.1mm（高度）的紧凑型PowerDI5封装的高压器件 —— UPDS3200和UPDS5100H肖特基二极管势垒整流器，其额定值分别为3A/200V和5A/100V。
---International Rectifier公司（位于美国加利福尼亚州El Segundo）推出的面向中等功率D类音频放大器的IRF6665 MOSFET采用了DirectFET封装工艺，旨在通过减小引线电感（这改善了开关性能并降低了EMI噪声）来增强器件的性能。
---Vishay Siliconix公司（位于美国宾夕法尼亚州Malvern）推出了一个新型P沟道MOSFET系列，共包括六款150V和200V器件，它们采用三种封装型式 —— SC70、SOT-23和PowerPAK SO-8，并具有5W（200V SC70封装器件）至最低0.09W（150V PowerPAK SO-8封装器件）的接通电阻。
